محرك أقراص الحالة الصلبة (SSD) سامسونج 9100 PRO 4 تيرابايت PCIe 5.0 NVMe M.2
يوفر Samsung 9100 PRO 4TB سعة تخزين عالية PCIe 5.0 NVMe للألعاب المتطلبة، وأعباء العمل الاحترافية، وإنشاء المحتوى، وتطبيقات الذكاء الاصطناعي، وأعباء عمل البيانات واسعة النطاق. يوفر مزيجها من Samsung V-NAND TLC واتصال PCIe 5.0 x4 وذاكرة تخزين مؤقت LPDDR4X بسعة 4 جيجابايت أداء تخزين استثنائيًا.
يصل طراز 4 تيرابايت إلى سرعات قراءة متسلسلة تصل إلى 14,800 ميجابايت/ثانية وسرعات كتابة متسلسلة تصل إلى 13,400 ميجابايت/ثانية، مع أداء قراءة عشوائية يصل إلى 2,200 ألف IOPS وأداء كتابة عشوائية يصل إلى 2,600 ألف IOPS.
المواصفات:
| المواصفات | التفاصيل |
|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung |
| السلسلة | 9100 PRO |
| سعة التخزين | 4TB |
| نوع القرص | محرك أقراص ذو حالة صلبة NVMe (SSD) |
| عامل الشكل | M.2 2280 |
| الواجهة | PCIe 5.0 x4، NVMe 2.0 |
| NAND | Samsung V-NAND TLC |
| المتحكم | وحدة التحكم الداخلية من Samsung |
| ذاكرة التخزين المؤقت | 4GB LPDDR4X |
| القراءة المتسلسلة | تصل إلى 14,800 ميجابايت/ثانية |
| الكتابة المتسلسلة | تصل إلى 13,400 ميجابايت/ثانية |
| القراءة العشوائية | تصل إلى 2,200 ألف IOPS |
| الكتابة العشوائية | تصل إلى 2,600 ألف IOPS |
| المتانة | 2,400TBW |
| الأبعاد | 80.15 × 22.15 × 2.38 ملم |
| الوزن | الحد الأقصى 9.0 جرام |
الميزات الرئيسية:
-
سعة تخزين 4 تيرابايت
-
واجهة PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
-
عامل الشكل M.2 2280
-
Samsung V-NAND TLC
-
قراءة متسلسلة تصل إلى 14,800 ميجابايت/ثانية
-
كتابة متسلسلة تصل إلى 13,400 ميجابايت/ثانية
-
قراءة عشوائية تصل إلى 2,200 ألف IOPS
-
كتابة عشوائية تصل إلى 2,600 ألف IOPS
-
ذاكرة تخزين مؤقت LPDDR4X بسعة 4 جيجابايت
-
مناسب للألعاب، وأعباء عمل الذكاء الاصطناعي، وإنشاء المحتوى، والتطبيقات الاحترافية




