محرك أقراص الحالة الصلبة سامسونج 9100 PRO سعة 4 تيرابايت بمنفذ PCIe 5.0 NVMe M.2 مع مشتت حراري
يجمع محرك أقراص Samsung 9100 PRO 4TB مع مشتت حراري بين سعة التخزين العالية وأداء PCIe 5.0 NVMe المتطور. تم تصميمه للألعاب المتطورة، وأعباء عمل الذكاء الاصطناعي، والتطبيقات الاحترافية، وإنشاء المحتوى، وغيرها من أعباء العمل المتطلبة حيث تكون كل من السعة والأداء المستمر مهمين.
يصل طراز 4 تيرابايت إلى سرعات قراءة متتابعة تصل إلى 14,800 ميجابايت/ثانية وسرعات كتابة متتابعة تصل إلى 13,400 ميجابايت/ثانية، مع أداء قراءة عشوائية يصل إلى 2,200 ألف IOPS وأداء كتابة عشوائية يصل إلى 2,600 ألف IOPS.
المواصفات:
| المواصفات | التفاصيل |
|---|---|
| العلامة التجارية | سامسونج |
| السلسلة | 9100 PRO |
| سعة التخزين | 4 تيرابايت |
| نوع محرك الأقراص | محرك أقراص ذو حالة صلبة NVMe (SSD) |
| عامل الشكل | M.2 2280 |
| الواجهة | PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0 |
| NAND | Samsung V-NAND TLC |
| وحدة التحكم | وحدة تحكم داخلية من سامسونج |
| ذاكرة التخزين المؤقت | 4 جيجابايت LPDDR4X |
| القراءة المتتابعة | تصل إلى 14,800 ميجابايت/ثانية |
| الكتابة المتتابعة | تصل إلى 13,400 ميجابايت/ثانية |
| القراءة العشوائية | تصل إلى 2,200 ألف IOPS |
| الكتابة العشوائية | تصل إلى 2,600 ألف IOPS |
| المشتت الحراري | مدمج |
| الأبعاد | حد أقصى 80.15 × 25 × 8.88 ملم |
| التحمل | 2,400 تيرابايت |
الميزات الرئيسية:
-
سعة تخزين 4 تيرابايت
-
واجهة PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
-
عامل شكل M.2 2280
-
مشتت حراري مدمج
-
Samsung V-NAND TLC
-
قراءة متتابعة تصل إلى 14,800 ميجابايت/ثانية
-
كتابة متتابعة تصل إلى 13,400 ميجابايت/ثانية
-
قراءة عشوائية تصل إلى 2,200 ألف IOPS
-
كتابة عشوائية تصل إلى 2,600 ألف IOPS
-
ذاكرة تخزين مؤقت 4 جيجابايت LPDDR4X
-
مناسب للألعاب وأعباء عمل الذكاء الاصطناعي وإنشاء المحتوى والتطبيقات الاحترافية




